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音响功放mos管,60a250v场效应管,KNH3625A参数资料-KIA MOS管
KNH3625A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流60A，采用专有新型平面技术，?极低导通电阻RDS(开启) 45mΩ，低栅极电荷最小化开关损耗，性能优越；快速恢复体二极管、开关速度快，高效低耗、稳定可靠；广泛应用于DC-DC转换器、UPS DC-AC逆变器、开关电源和电机控...www.kiaic.com/article/detail/5723.html 2025-06-12
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手机快充原理详解及电路图分享-KIA MOS管
以常见方案为例，高压低电流（如高通QC）：通过提升电压缩短充电时间。低压大电流（如OPPO VOOC）：直接输送更大电流，减少发热。关键点：快充全程由手机内置的 电源管理芯片（PMIC） 智能调控，实时监测电池温度、电压和电量。当电量接近80%时，快充会自动切换...www.kiaic.com/article/detail/5722.html 2025-06-12
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手机充电器电路,手机充电电路原理分析-KIA MOS管
手机充电器的输入端通过四个整流二极管构建成一个整流桥，通常现代手机充电器会采用MB10S这类贴片整流桥，而较少使用1N4007整流桥。经过整流桥的整流和高压电容C1的滤波，220V的交流电被转换为高压直流电，为后续的高频振荡电路提供电源。www.kiaic.com/article/detail/5721.html 2025-06-12
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pwm控制场效应管,30a40v电压,KNY8104A参数引脚图-KIA MOS管
KNY8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：DF...www.kiaic.com/article/detail/5669.html 2025-06-11
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电源管理mos管,30a40v,8104场效应管,KNS8104A参数-KIA MOS管
KNS8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：SO...www.kiaic.com/article/detail/5720.html 2025-06-11
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防盗报警器电路图,电子警报器电路-KIA MOS管
当按下开关时，C3 通过 R4 充电，时间常数为 0.47 秒。当释放开关时，C3 开始通过 R7 和 R3 进行较慢的放电，时间常数约为 5 秒。运算放大器设置为压控振荡器。这个简单的电子警报器电路中的控制电压是 C3 充电和放电时电压的指数上升和下降。www.kiaic.com/article/detail/5719.html 2025-06-11
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led节能灯电路,led电路原理图-KIA MOS管
该灯以220V电源供电。经过C1降压电容的降压，220V交流电被全桥整流，再经过C2滤波，最终通过限流电阻R3为串联的38颗LED提供稳定的恒流电源。每颗LED的额定电流为20mA。www.kiaic.com/article/detail/5718.html 2025-06-11
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mos管pwm,3303场效应管,KNG3303C参数资料-KIA MOS管
KNG3303C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，减少导通损耗、提高效率；低Crss、开关速度快，高效稳定；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，确保稳定性和可靠性；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5717.html 2025-06-10
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应急电源电路图,应急电源mos管应用-KIA MOS管
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电压应力减少，EMI减少，不发生二次击穿。在开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流，这些元件组合一起，能很好地吸收尖峰电压和电流。www.kiaic.com/article/detail/5716.html 2025-06-10
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固态继电器原理图,电路图分享-KIA MOS管
在输入控制回路中，电阻R1串接在IC1光电耦合器输入端对其发光管进行限流保护，发光管LED对输入控制信号给予指示，VD1对输入端的反偏电压进行保护。当控制端无信号输入时，IC1光电耦合器中的光敏三极管呈截止高阻状态，V1通过R2获得其基极电流使之饱和导通，从而...www.kiaic.com/article/detail/5715.html 2025-06-10
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充电器mos管,130a150v,KCP2915B场效应管参数资料-KIA MOS管
KCP2915B场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A，采用先进的SGT、沟槽MOS技术设计，高效率低损耗；极低导通电阻RDS(on) 7.3mΩ，低栅极电荷，可最大限度地减少导电损失；具有100% EAS保证，坚固可靠、绿色设备可用、优质环保；广泛应用于负载开关、LED应用、...www.kiaic.com/article/detail/5714.html 2025-06-09
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电机控制器的工作原理,组成结构详解-KIA MOS管
输入信号处理：电机控制器接收来自外部的控制信号，如模拟信号、数字信号等。这些信号经过处理后，用于控制电机的运行状态。微处理器控制：微处理器是电机控制器的核心部件，负责处理输入信号，生成控制指令，并通过通信接口与其他系统进行交互。www.kiaic.com/article/detail/5713.html 2025-06-09
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mosfet负温度系数特性,正/负温度系数-KIA MOS管
MOSFET的阈值电压Vgs（th)具有负温度系数，这意味着随着温度的升高，阈值电压会降低。这是因为温度升高会导致半导体材料中的载流子浓度增加，使得沟道中的载流子更容易被栅极电场吸引，从而降低了阈值电压的值。www.kiaic.com/article/detail/5712.html 2025-06-09
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10065碳化硅,10a650v碳化硅,10065碳化硅二极管参数-KIA MOS管
SSP10065A碳化硅二极管10a/650v参数，具有更高的过电压安全裕度、提高了所有负载条件下的效率、与硅二极管替代品相比提高了效率、降低散热器要求、无热失控的并联器件、基本无开关损耗；在效率、耐压性、热性能及可靠性等方面具有显著优势?，主要包括更高的开...www.kiaic.com/article/detail/5711.html 2025-06-06